双极型薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种双极型薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括：基板；第一半导体层，形成在基板上；层叠源极和层叠漏极，形成在第一半导体层上；层叠源极包括层叠的第一源极和第二源极，层叠漏极包括层叠的第一漏极和第二漏极；第二半导体层，导电类型与第一半导体层不同，形成在层叠源极和层叠漏极上以及层叠源极和层叠漏极之间；第一源极和第一漏极所用材料的功函数与第一半导体层的导电类型相匹配以降低电子或空穴注入的势垒；第二源极和第二漏极所用材料的功函数与第二半导体层的导电类型相匹配以降低电子或空穴注入的势垒；还包括：栅极和栅绝缘层。本发明提供的器件及方法解决了双极型TFT中电子和空穴传输不平衡的问题。

主权项

一种双极型薄膜晶体管，包括：基板；第一半导体层，形成在所述基板上；层叠源极和层叠漏极，形成在所述第一半导体层上；所述层叠源极包括层叠的第一源极和第二源极，所述层叠漏极包括层叠的第一漏极和第二漏极；所述层叠源极和层叠漏极之间形成沟道；第二半导体层，导电类型与所述第一半导体层不同，形成在所述层叠源极和层叠漏极上以及所述沟道上；所述第一源极和第一漏极所用材料的功函数与所述第一半导体层的导电类型相匹配以降低电子或空穴注入的势垒；所述第二源极和第二漏极所用材料的功函数与所述第二半导体层的导电类型相匹配以降低电子或空穴注入的势垒；还包括：栅极和栅绝缘层，位于所述第二半导体层上，或者位于所述第一半导体层和所述基板之间。