发明名称 |
氧化铝烧结体、其制法和半导体制造装置部件 |
摘要 |
本发明提供一种氧化铝烧结体的制法,在低温下烧结由普通氧化铝粉末制作的成形体。本发明的氧化铝烧结体的制法包括:(a)将至少含有Al2O3和MgF2的混合粉末、或者Al2O3、MgF2、MgO的混合粉末成形为规定形状的成形体的步骤;(b)在真空气氛下或非氧化性气氛下将该成形体热压烧成氧化铝烧结体的步骤,即,相对于Al2O3100重量份的MgF2的用量为X(重量份),热压烧成温度为Y(℃)时,设定热压烧成温度满足下式(1)~(4)的步骤:1120≤Y≤1300…(1),0.15≤X≤1.89…(2),Y≤-78.7X+1349…(3),Y≥-200X+1212…(4)。 |
申请公布号 |
CN101844916B |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201010150607.X |
申请日期 |
2010.03.25 |
申请人 |
日本碍子株式会社 |
发明人 |
寺谷直美;早濑彻;胜田佑司;来田雅裕 |
分类号 |
C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
钟晶 |
主权项 |
一种氧化铝烧结体的制法,包括:(a)将至少包含Al2O3和MgF2的混合粉末或者Al2O3、MgF2和MgO的混合粉末成形为规定形状的成形体的步骤;(b)在真空气氛下或非氧化性气氛下将该成形体热压烧成,成为氧化铝烧结体的步骤,即,相对于Al2O3100重量份的MgF2的用量为X重量份、热压烧成温度为Y℃时,设定热压烧成温度满足下式(1)~(4)的步骤,1120≤Y≤1300...(1),0.15≤X≤1.89...(2),Y≤‑78.7X+1349...(3),Y≥‑200X+1212...(4)。 |
地址 |
日本爱知县 |