一种薄膜电容器用复合基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜电容器用复合基板，其具有双层结构，该双层结构包括铜基板以及形成在该铜基板上的含有微量杂质的镍基板；所述铜基板采用高纯度的纯铜来形成，其纯度为99.999%；其中，镍基板按照重量百分比计，具有如下配比的材料：镍的含量大于或等于99.98重量%。其余0.02重量%为多种杂质。所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.001-0.002重量%的银、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽。

主权项

一种薄膜电容器用复合基板的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：（1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍，其余0.02重量%为多种杂质，所述多种杂质包括：0.0005‑0.0008重量%的锰，0.005‑0.008重量%的铝、0.001‑0.002重量%的银、0.0005‑0.001重量%的铬，0.004‑0.006重量%的铁、0.0005‑0.0012重量%的硅以及0.001‑0.002重量%的锑以及0.001‑0.002重量%的钽；（2）第一次轧制：将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3‑5毫米；（3）第一次热退火，步骤（2）所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650‑800℃，退火时间为60分钟；（4）第二次轧制，对步骤（3）所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1‑2毫米；（5）第二次热退火，将步骤（4）所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650‑800℃，退火时间为40分钟；（6）将步骤（5）所得的镍基板贴合到铜基板上进行第三次轧制，轧制后形成厚度为200‑300微米的复合基板箔片；（7）第三次热退火，将步骤（6）所得的复合基板箔片进行第三次热退火，退火温度为700‑800℃，退火时间为30分钟；（8）将步骤（7）所得的复合基板箔片裁出需要的尺寸后完成复合基板的制造。