非易失性存储器件的读取方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器件及其读取方法，所述非易失性存储器件包括第一选择晶体管、第二选择晶体管以及串联耦接在第一选择晶体管与第二选择晶体管之间的多个存储器单元。所述非易失性存储器件的读取方法包括以下步骤：施加读取电压到选中的存储器单元的栅极；施加第一通过电压到与选中的存储器单元相邻的存储器单元的栅极；以及施加第二通过电压到其它的存储器单元的栅极，其中，选中的存储器单元沿着阈值电压增大的方向而处于第一至第T编程状态之中的一种编程状态，其中T是大于2的自然数，且第一通过电压随着选中的存储器单元接近第T编程状态而减小。

主权项

一种非易失性存储器件的读取方法，包括以下步骤：施加读取电压到选中的存储器单元的栅极；施加第一通过电压到与所述选中的存储器单元相邻的存储器单元的栅极；以及施加第二通过电压到其它的存储器单元的栅极，其中，所述选中的存储器单元沿阈值电压增加的方向而处于第一至第T编程状态中的单个编程状态，其中，T是大于2的自然数，且所述第一通过电压随着所述选中的存储器单元接近第T编程状态而减小。