III族氮化物单晶的制造方法

摘要

通过气相生长法在基板（1）上形成由III族氮化物构成的基底膜（2）。通过在氢存在下加热处理基板（1）以及基底膜（2），除去基底膜（2）使基板（1）的表面粗面化。通过气相生长法在基板（1A）的表面形成由III族氮化物单晶构成的籽晶膜（4）。在籽晶膜（4）上通过助熔剂法培养III族氮化物单晶（5）。

主权项

一种III族氮化物单晶的制造方法，特征在于，具有：基底膜形成工序，通过气相生长法在基板上形成由III族氮化物构成的基底膜；蚀刻工序，通过在氢存在下，于1000℃以上、1300℃以下加热处理所述基板以及所述基底膜，除去所述基底膜使所述基板的表面粗面化；籽晶膜形成工序，通过气相生长法在所述基板表面形成由选自镓、铝以及铟的一种以上的金属的氮化物的单晶构成的籽晶膜，在所述基板和所述籽晶膜之间形成空隙率15～45%的空隙；以及单晶培养工序，在所述籽晶膜上通过钠助熔剂法培养由选自镓、铝以及铟的一种以上的金属的氮化物构成的III族氮化物单晶。