| 发明名称 | 反应固相生长制备高性能压电陶瓷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于功能材料制备技术领域；通过反应固相生长工艺制备单晶化或织构化无铅压电陶瓷，达到省略预合成过程、抑制焦绿石相形成、增加陶瓷致密度、改善电学性能，同时解决压电单晶生长困难、成本高、周期长的问题；获得具有较高的致密度和良好的电学性能的(K,Na)NbO3（NKN）基无铅压电陶瓷。 | ||
| 申请公布号 | CN103172377A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201310126506.2 | 申请日期 | 2013.04.12 |
| 申请人 | 常州大学 | 发明人 | 方必军;钱昆;丁建宁;罗豪甦 |
| 分类号 | C04B35/495(2006.01)I;C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 反应固相生长制备高性能压电陶瓷的方法，其特征在于：利用具有钙钛矿结构的PMNT单晶作为模板，通过反应固相生长工艺制备具有钙钛矿结构的织构化的NKN基无铅压电陶瓷。 | ||
| 地址 | 213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号常州大学 | ||