发明名称 |
晶体管及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种晶体管及其制作方法,所述方法包括以下步骤:提供半导体衬底;在半导体衬底上依次沉积高K栅介质层、金属材料层、牺牲材料层;去除部分牺牲材料层及其正下方的金属材料层,在半导体衬底上形成包括牺牲材料层与金属材料层的堆叠结构,堆叠结构用于定义晶体管栅极所在区域;在形成有堆叠结构的半导体衬底上沉积侧墙材料层;去除堆叠结构及高K栅介质层上方的侧墙材料层,残留在堆叠结构两侧的侧墙材料层形成堆叠结构的侧墙,去除未被堆叠结构覆盖的高K栅介质层。形成的晶体管中高K栅介质层不会产生漏电流的问题,提高了晶体管的电流开关比、GIDL等性能,使晶体管栅极产生较少的电流泄漏。 |
申请公布号 |
CN103177966A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201110436570.1 |
申请日期 |
2011.12.22 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
平延磊;何其旸 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种晶体管的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上依次沉积高K栅介质层、金属材料层、牺牲材料层;去除部分所述牺牲材料层及其正下方的金属材料层,在所述半导体衬底上形成包括牺牲材料层与金属材料层的堆叠结构,所述堆叠结构用于定义晶体管栅极所在区域;在形成有所述堆叠结构的半导体衬底上沉积侧墙材料层;去除所述堆叠结构顶部的侧墙材料层、高K栅介质层上方的侧墙材料层,残留在所述堆叠结构两侧的侧墙材料层形成所述堆叠结构的侧墙,去除未被所述堆叠结构覆盖的高K栅介质层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |