发明名称 一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法
摘要 一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法,它涉及一种抗超高温度氧化损伤的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料在超高温度(>1700°C)下存在氧化层的稳定性差的问题。制备方法:一、制备二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料;二、氧化抑制处理;即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。本发明可用于制备抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。
申请公布号 CN103172382A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201310140267.6 申请日期 2013.04.22
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 张幸红;李宁;胡平;韩文波;金鑫鑫;洪长青
分类号 C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 韩末洙
主权项 一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于抗超高温度氧化损伤的二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法是按以下步骤进行的:一、制备二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料:按重量份数称取70~90份的二硼化锆粉末和30~10份的碳化硅粉末,并将二硼化锆粉末与碳化硅粉末进行球磨湿混,得到料浆,然后将所得料浆通过旋转蒸发器在温度为50°C~90°C条件下干燥1小时~4小时,得到烘干后的混合粉料,最后将得到的烘干后的混合粉料在真空或惰性气体气氛下于1700°C~l900°C温度下热压烧结,热压压力为3OMPa,保温时间为20分钟~60分钟,自然冷却至室温后取出,即得二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料;二、氧化抑制处理:将步骤一制备的二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料置于氧化抑制处理装置中,充入纯氧或空气,控制气体流量为lmL/min~500mL/min,然后通过氧化抑制处理装置的流量计(1)和真空泵(10)控制氧化抑制处理装置反应室中的气体压力为lPa~10000Pa,最后利用氧化抑制处理装置的电磁感应加热设备将二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料加热至1400°C‑1700°C,然后进行保温,保温时间为1分钟~180分钟,即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料。
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号