| 发明名称 | 制造半导体存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成多个栅极线；在栅极线上形成绝缘层；以及利用具有比2cP更低的粘度以及比3pH更低的酸度的不含表面活性剂的清洁溶液来执行清洁工艺，以从绝缘层的表面去除残留物。 | ||
| 申请公布号 | CN103178015A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210452516.0 | 申请日期 | 2012.11.13 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李德仪;李承* |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 周晓雨;郭放 |
| 主权项 | 一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成多个栅极线；在所述栅极线上形成绝缘层；以及利用具有比2cP更低的粘度以及比3pH更低的酸度的不含表面活性剂的清洁溶液来执行清洁工艺，以从所述绝缘层的表面去除残留物。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||