| 发明名称 | 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统 | ||
| 摘要 | 利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光（110）、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像（120）、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性（130）来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。 | ||
| 申请公布号 | CN103175814A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201310054248.1 | 申请日期 | 2007.05.04 |
| 申请人 | BT成像股份有限公司 | 发明人 | T.特鲁科;R.A.巴多斯 |
| 分类号 | G01N21/64(2006.01)I;G01N21/66(2006.01)I;G01N21/956(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马丽娜;王忠忠 |
| 主权项 | 一种用来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性的方法，所述方法包括步骤：从外部激发所述间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光；捕获响应于所述外部激发从所述间接带隙半导体器件发出的光的图像；以及根据对两个或更多个所述发光图像中的区域的相对强度的比较来确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性，其中所述发光图像中的至少一个是光致发光图像。 | ||
| 地址 | 澳大利亚新南威尔士省 | ||