一种低温漂失调自校准运算放大器电路及设计方法

摘要

本发明涉及一种低温漂失调自校准运算放大器电路及设计方法，它包括两个增益单元、一个偏置模块、三个电容、一个电流源、六个开关、4个P型MOS管和5个N型MOS管,其中每个增益单元包括一个电容、两个电阻、一个开关、10个P型MOS管和4个N型MOS管；它采用折叠共源共栅结构作为放大器的增益级，获得了高电压增益和高电源抑制比；采用了MOS电容存储运放因工艺偏差等因素带来的失调信息，并在闭环使用时逐次自动校准，实现了低的直流失调；采用了温度补偿技术实现了较低的温度系数；采用了AB类的推挽输出，获得了高的驱动能力。

主权项

一种低温漂失调自校准运算放大器电路及设计方法，包括增益级和输出级，其特征是：增益级包括增益单元AMP_CELL1、增益单元AMP_CELL2，和6个开关；输出级包括：一个电流源构成的偏置模块、三个电容、六个开关、4个P型MOS管和5个N型MOS管，所述的增益单元AMP_CELL1或增益单元AMP_CELL2包括：一个电容、两个电阻、一个开关、1 0个P型MOS管和4个N型MOS管，第一P型MOS管MP1的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极、第五P型MOS管MP5的源极、电容C的一端、第八P型MOS管MP8的源极和电阻R1的一端连接；第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的源极和第三P型MOS管MP3的源极连接；第二P型MOS管MP2的栅极与差分信号输入端的正端Vin+连接，第三P型MOS管MP3的栅极与差分信号输入端的负端Vin‑连接；第二P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管N3的源极和第十P型MOS管MP10的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管N4的源极和第九P型MOS管MP9的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极和第五P型MOS管MP5的栅极连接；第三N型MOS管N3的栅极和第四N型MOS管N4的栅极连接；第一N型MOS管N1的栅极和第二N型MOS管N2的栅极连接；第一N型MOS管N1的源极、第二N型MOS管N2的源极和电阻R2的一端连接；第九P型MOS管MP9的栅极、电容C的另一端、开关S1的一端和单端信号输出端Vo连接；第八P型MOS管MP8的漏极、第九P型MOS管MP9的源极和第十P型MOS管MP10的源极连接；第十P型MOS管MP10的栅极、电阻R1的另一端和电阻R2的另一端连接；第四P型MOS管MP4的漏极和第六P型MOS管MP6的源极连接；第五P型MOS管MP5的漏极和第七P型MOS管MP7的源极连接；第六P型MOS管MP6的漏极和第三N型MOS管N3的漏极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管N4的漏极和开关S1的另一端连接。