| 发明名称 | SiC双极结型晶体管的制造方法及其SiC双极结型晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)的制造方法和SiC BJT(200)。所述SiC BJT包括发射极区(236)、基极区(234)和集电极区(232)。所述集电极区被置于具有约4度以下离轴方向的衬底(210)上。进一步，缺陷终止层(DTL，220)被置于所述衬底与所述集电极区之间。DTL的厚度和掺杂度被配置为，终止DTL中的基面位错并减少缺陷从DTL到集电极区的生长。本发明的优点在于，提高了SiC BJT的稳定性。进一步，还提供了SiC BJT的退化性能的评估方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103180956A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201180051393.3 | 申请日期 | 2011.10.21 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 安德烈·康斯坦丁诺夫 |
| 分类号 | H01L29/732(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/732(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种碳化硅(SiC)双极结型晶体管(100)的制造方法，包括以下步骤:在具有约4度以下离轴方向的衬底(110)上设置集电极区(130);以及设置缺陷终止层DTL(120)，所述DTL置于所述衬底和所述集电极区之间;其中，所述DTL的厚度和掺杂度被选择为终止所述DTL中的基面位错并减少缺陷从所述DTL到所述集电极区的生长，所述DTL的掺杂度包括在约3X1018cm‑3至2X1019cm‑3的范围内。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||