| 发明名称 | 钙钛矿型氧化物膜及使用该氧化物膜的铁电体膜、铁电体器件和制造钙钛矿型氧化物膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供一种压电器件，所述器件具有优异的信号传送和接收能力，并适于用作压电传动装置、传感器、超声波传感器或发电器件。一种在衬底(10)上形成的钙钛矿型氧化物膜(1)，所述钙钛矿型氧化物膜(1)具有5μm以上的平均膜厚，并且其特征在于包含由通式(P)表示的钙钛矿型氧化物：(K1-w-x,Aw,Bx)(Nb1-y-z,Cy,Dz)O3，其中：0<w<1.0、0≤x≤0.2、0≤y<1.0、0≤z≤0.2、0<w+x<1.0，A为K以外的离子价为1的A位元素，B为A位元素，C为离子价为5的B位元素，D为B位元素，A～D各自为一种或多种金属元素。 | ||
| 申请公布号 | CN103180249A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201180051371.7 | 申请日期 | 2011.10.20 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社;国立大学法人东京工业大学 | 发明人 | 坂下幸雄;舟洼浩;黑泽实;石河睦生;荣西弘;白石贵久 |
| 分类号 | C01G33/00(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I;H01L41/39(2013.01)I | 主分类号 | C01G33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成;解延雷 |
| 主权项 | 一种钙钛矿型氧化物膜，所述膜形成在衬底上，其中，所述膜具有不小于5μm的平均膜厚并包含由以下给出的通式(P)表示的钙钛矿型氧化物：(K1‑w‑x,Aw,Bx)(Nb1‑y‑z,Cy,Dz)O3‑‑‑‑‑(P)，其中：0<w<1.0、0≤x≤0.2、0≤y<1.0、0≤z≤0.2、0<w+x<1.0；A为K以外的离子价为1的A位元素，B为A位元素，C为离子价为5的B位元素，并且D为B位元素；A～D各自为一种或多种金属元素；并且虽然1:3是A位元素的总摩尔数和B位元素的总摩尔数与氧原子的摩尔数的标准比例，但是该比例可以在能够形成钙钛矿型结构的范围内偏离1:3。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||