发明名称 |
一种硅基薄膜太阳能电池 |
摘要 |
本发明揭示一种硅基薄膜太阳能电池的制程方法,步骤包含:提供一基材、沉积第一透明导电层、P型半导体层、本质(i)型半导体层、N型半导体层、纳米金属粒子层、第二透明导电层以及背电极。本发明藉由该纳米金属粒子层的设置,该电池可有效地达到阻障后续背电极制程的高功率轰击的功效,以提高电池的可靠度。 |
申请公布号 |
CN103178151A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201110436041.1 |
申请日期 |
2011.12.22 |
申请人 |
亚树科技股份有限公司 |
发明人 |
李炳寰;谢逸弘 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健;王俊民 |
主权项 |
一种薄膜太阳能电池的制程方法,其特征在于,其步骤包含:(a)提供一基材;(b)沉积一第一透明导电层于该基材上;(c)沉积一P型半导体层于该第一透明导电层上;(d)沉积一本质(i)型半导体层于该P型半导体层上;(e)沉积一N型半导体层于该本质(i)半导体层上;(f)沉积一纳米金属粒子层于该N型半导体层上;(g)沉积一第二透明导电层于该纳米金属粒子层上;以及(h)沉积一背电极于该第二透明导电层上;其中,该纳米金属粒子层的晶粒大小为5至100纳米之间,且该纳米金属粒子层的纳米粒子在该N型半导体层的表面覆盖率为20%至60%之间。 |
地址 |
中国台湾台南市新市区南科二路12号R205室 |