| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括基底和设置在基底上方的超级结区域。超级结区域可以包括交替地设置的掺杂类型不同的多个柱。超级结区域的所述多个柱中的一个柱可具有沿半导体装置的垂直方向从底部至顶部逐渐减小然后逐渐增大的掺杂浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN103178088A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210162713.9 | 申请日期 | 2012.05.23 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 赵文秀;全珖延;禹赫;林昌植 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置具有超级结结构，所述半导体装置包括：基底；超级结区域，超级结区域设置在基底上方，超级结区域包括交替地设置的不同掺杂类型的多个柱，超级结区域的所述多个柱中的一个柱具有沿垂直方向从底部至顶部逐渐减小然后逐渐增大的掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||