| 发明名称 | 具有金属栅极的CMOS器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种方法包括形成PMOS器件。该方法包括：在半导体衬底的上方和PMOS区中形成栅极介电层；在栅极介电层的上方和PMOS区中形成第一含金属层；使用含氧工艺气体对PMOS区的第一含金属层实施处理；并且在第一含金属层的上方和PMOS区中形成第二含金属层。第二含金属层具有低于硅的带隙中心功函数的功函数。第一含金属层和第二含金属层形成PMOS器件的栅极。本发明还提供一种具有金属栅极的CMOS器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103178012A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210115586.7 | 申请日期 | 2012.04.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 钟升镇;朱鸣;庄学理;杨宝如;吴伟成;梁家铭;吴欣桦 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成P‑型金属‑氧化物‑半导体(PMOS)器件，包括：在半导体衬底上方和PMOS区中形成栅极介电层；在所述栅极介电层的上方和所述PMOS区中形成第一含金属层；使用含氧工艺气体对位于所述PMSO区中的所述第一含金属层实施处理；以及在所述第一含金属层上方和所述PMOS区中形成第二含金属层，其中，所述第二含金属层具有低于硅的带隙中心功函数的功函数，并且其中，所述第一含金属层和所述第二含金属层形成所述PMOS器件的栅极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||