| 发明名称 | 一种FinFET器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种FinFET器件的制造方法，包括：提供硅基体，并蚀刻所述硅基体以形成所述FinFET器件的Fin；在所述硅基体上形成所述FinFET器件的栅极，并在所述栅极的两侧形成第一侧壁体；在所述Fin的两侧形成第二侧壁体；在所述Fin的源/漏区的下方形成一沟槽；在所述硅基体上形成一可流动的氧化物层，以完全填充所述沟槽；在所述硅基体上形成一光致抗蚀剂层，并回蚀刻所述光致抗蚀剂层；去除未被所述光致抗蚀剂层覆盖的氧化物层；去除所述光致抗蚀剂层，并去除位于所述第一侧壁体和第二侧壁体上的剩余的氧化物层；去除所述第二侧壁体。根据本发明，可以在鳍(Fin)的源/漏区形成掩埋氧化物层以实现所述Fin之间的良好隔离，同时可以降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103177963A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201110434023.X | 申请日期 | 2011.12.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 卜伟海;康劲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种FinFET器件的制造方法，包括：提供硅基体，并在所述硅基体上依次形成一衬垫层和一硬掩膜层；图形化所述硅基体，并蚀刻所述硅基体以形成所述FinFET器件的Fin；在所述硅基体上形成栅极叠层结构，蚀刻所述栅极叠层结构以形成所述FinFET器件的栅极，并在所述栅极的两侧形成第一侧壁体；在所述Fin的两侧形成第二侧壁体；蚀刻所述硅基体，以在所述Fin的源/漏区的下方形成一沟槽；在所述硅基体上形成一可流动的氧化物层，以完全填充所述沟槽；在所述硅基体上形成一光致抗蚀剂层，并回蚀刻所述光致抗蚀剂层；去除未被所述光致抗蚀剂层覆盖的氧化物层；去除所述光致抗蚀剂层，并去除位于所述第一侧壁体和第二侧壁体上的剩余的氧化物层；去除所述第二侧壁体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||