体引出结构SOI场效应晶体管等效电学装置及建模方法

摘要

本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。本发明提出的等效电学模型完整地包括了体引出结构SOIMOSFET器件物理结构的各个部分，即体引出部分和主体部分对其电学特性的影响，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。

主权项

一种体引出结构SOI场效应晶体管的建模方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：首先，分别制作体引出结构器件和仅包含所述体引出结构器件中的体引出部分的辅助器件；然后，分别对体引出结构器件和辅助器件进行电学测试；将辅助器件的测试数据用于提取模型中内部场效应晶体管的相关参数，所述模型是指等效电学模型，其由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成；其中将体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管；而代表正常晶体管的外部场效应晶体管的相关参数，通过一个中间数据来进行提取，这个中间数据通过将所有体引出结构器件的测试数据减去相同测试条件下辅助器件的测试数据得到。