发明名称 | 一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷 | ||
摘要 | 一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷,它采用常规的固相法陶瓷的制备方法,利用普通化学原料,制备得到无铅、无镉的无毒低温烧结低损耗铌镁酸铋介电陶瓷,该陶瓷适合于制备移相器、滤波器、压控振荡器等,能与低成本银钯合金电极共烧,并且在制备和使用过程中不污染环境,其特征在于所述介质的配方包括:(Bi2-xAx)(Mg1/3Nb2/3-yBy)2O7,0.01≤x≤0.5,A=Li或Y;0.02≤y≤0.8,B=Ti或Sn或Zr。所制备的介电陶瓷烧结温度低,烧结温度为950-980℃,介质损耗小,介质损耗小于0.001;介电常数较高约为130左右;高的介电调谐率,介电调谐率大于56%;使用过程中性能稳定性好,安全性高,对环境无污染。 | ||
申请公布号 | CN103172362A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
申请号 | CN201310074771.0 | 申请日期 | 2013.03.11 |
申请人 | 江苏大学 | 发明人 | 黄新友;高春华;李军;花海堂;花银群 |
分类号 | C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/453(2006.01)I |
代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
主权项 | 一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷,所述介电陶瓷介质损耗小于0.001,介电常数为125‑132,介电调谐率为57‑65 %,其特征在于:所述介电陶瓷的化学式为:(Bi2‑xAx)(Mg1/3Nb2/3‑yBy)2O7,0.01≤x≤0.5,A为Li或Y;0.02≤y≤0.8,B=Ti、Sn或Zr。 | ||
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