发明名称 |
固态成像装置及其制造方法和成像装置 |
摘要 |
本发明公开了一种具有执行入射光的光电转换的感光部的固态成像装置及其制造方法和成像装置,该固态成像装置包括:形成在所述感光部的光接收面上的绝缘层;形成在所述绝缘层上的具有负电荷的层;以及形成在所述感光部的所述光接收面上的空穴聚集层。利用本发明的固态成像装置,因为暗电流能够被抑制,所以成像图像中的噪声能够被减小。结果,具有能够获得高质量图像的优势。 |
申请公布号 |
CN101409301B |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN200810161899.X |
申请日期 |
2008.10.13 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
押山到;安藤崇志;桧山晋;山口哲司;大岸裕子;池田晴美 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种具有执行入射光的光电转换的感光部的固态成像装置,包括:形成在所述感光部的光接收面上的氧化硅层;第一层,形成在所述氧化硅层上并由选自由以下材料构成组的材料形成:二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化镧(La2O3)、氧化镨(Pr2O3)、氧化铈(CeO2)、氧化钕(Nd2O3)、氧化钷(Pm2O3)、氧化钐(Sm2O3)、氧化铕(Eu2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化铽(Tb2O3)、氧化镝(Dy2O3)、氧化钬(Ho2O3)、氧化铒(Er2O3)、氧化铥(Tm2O3)、氧化镱(Yb2O3)、氧化镥(Lu2O3)、氧化钇(Y2O3)、氮化铪层、氮化铝层、氮氧化铪层以及氮氧化铝层;第二层,形成在所述第一层上并由选自由以下材料构成组的材料形成:二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钛(TiO2)、氧化镧(La2O3)、氧化镨(Pr2O3)、氧化铈(CeO2)、氧化钕(Nd2O3)、氧化钷(Pm2O3)、氧化钐(Sm2O3)、氧化铕(Eu2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化铽(Tb2O3)、氧化镝(Dy2O3)、氧化钬(Ho2O3)、氧化铒(Er2O3)、氧化铥(Tm2O3)、氧化镱(Yb2O3)、氧化镥(Lu2O3)、氧化钇(Y2O3)、氮化铪层、氮化铝层、氮氧化铪层以及氮氧化铝层;以及形成在所述感光部的所述光接收面上的空穴聚集层。 |
地址 |
日本东京 |