| 发明名称 | 半导体芯片和具有其的堆叠半导体封装体 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体芯片和堆叠半导体封装体。该半导体芯片包括基板、穿过基板的贯通电极和形成在基板与贯通电极之间且具有介电常数减小结构的介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN103178029A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210477865.8 | 申请日期 | 2012.11.22 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 孙晧荣 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种半导体芯片，包括：基板；穿过该基板的贯通电极；以及介电层，形成在该基板和该贯通电极之间，并且具有介电常数减小结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||