| 发明名称 | 具有掩埋式场板的化合物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有掩埋式场板的化合物半导体器件。一种半导体器件包括第一化合物半导体材料和在第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料。第二化合物半导体材料包括与第一化合物半导体材料不同的材料，使得第一化合物半导体材料具有二维电子气（2DEG）。该半导体器件还包括设置在第一化合物半导体材料中并被电连接至半导体器件的端子的掩埋式场板。2DEG被插入掩埋式场板与第二化合物半导体材料之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103178108A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210557724.7 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | G.库拉托拉;O.赫贝尔伦 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;刘春元 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一化合物半导体材料；在所述第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料，所述第二化合物半导体材料包括与所述第一化合物半导体材料不同的材料，使得所述第一化合物半导体材料具有二维电子气（2DEG）；以及掩埋式场板，其设置在所述第一化合物半导体材料中并被电连接至所述半导体器件的端子，2DEG被插入所述掩埋式场板与所述第二化合物半导体材料之间。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||