| 发明名称 | 栅结构及栅结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103178098A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201310054345.0 | 申请日期 | 2009.04.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 车泰昊;郑圣熙;崔吉铉;金秉熙;朴嬉淑;白宗玟 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 弋桂芬 |
| 主权项 | 一种栅结构，包括：在衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上的第一导电层图案；在所述第一导电层图案上的金属欧姆层图案；在所述金属欧姆层图案上的防扩散层图案；在所述防扩散层图案上的非晶层图案；和在所述非晶层图案上的第二导电层图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||