| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：衬底上的栅极结构，该栅极结构包括第一金属；绝缘中间层，覆盖衬底上的栅极结构；绝缘中间层中的电阻图案，该电阻图案具有比绝缘中间层的顶表面低的顶表面并且至少在其上部包括不同于第一金属的第二金属；和/或穿过绝缘中间层的第一部分的第一接触插塞，该第一接触插塞与电阻图案的上部直接接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103178045A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210413820.4 | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 孙星镐;金伦楷;姜洪成;李润锡;熊俊杰 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 屈玉华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构包括第一金属；绝缘中间层，覆盖所述衬底上的所述栅极结构；所述绝缘中间层中的电阻图案，所述电阻图案具有比所述绝缘中间层的顶表面低的顶表面并且至少在其上部包括不同于所述第一金属的第二金属；以及穿过所述绝缘中间层的第一部分的第一接触插塞，所述第一接触插塞与所述电阻图案的所述上部直接接触。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||