发明名称 |
一种开关电路 |
摘要 |
本发明公开了一种可有效减少MOS管体效应的开关电路。包括开关单元(1)以及控制单元(2);电路导通时,通过控制单元(2)中的电压跟随模块控制开关单元(1)中MOS管的衬底电压跟随漏极电压的变化,减少MOS管体效应,减小导通电阻。在电路关断时,通过把PMOS管的衬底电压上拉到高电平,同时下拉NMOS管的衬底电压,可以增加关断电阻,提高开关的隔离性能。 |
申请公布号 |
CN103178822A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201110437697.5 |
申请日期 |
2011.12.23 |
申请人 |
国民技术股份有限公司 |
发明人 |
戚建烨 |
分类号 |
H03K17/687(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/687(2006.01)I |
代理机构 |
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 |
代理人 |
薛祥辉 |
主权项 |
一种开关电路,包括开关单元,所述开关单元包括至少一个CMOS传输门,其特征在于,还包括控制单元;其中,所述控制单元连接所述开关单元中MOS管的衬底端以及所述开关单元中第一个CMOS传输门的输出端,用于控制开关单元中MOS管的衬底电压。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302 |