| 发明名称 | 等离子体处理容器内部件以及等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，使用如下所述的等离子体处理容器的再生方法进行等离子体处理，该等离子体处理容器的再生方法是：向用稀土族氧化物、聚酰亚胺和聚苯并咪唑中的任何一种喷镀膜覆盖基材表面得到的等离子体处理容器的内部部件的、随着在等离子体中的使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与所述喷镀膜相同的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101250680B | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN200810083610.7 | 申请日期 | 2001.12.07 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 今福光祐 |
| 分类号 | C23C4/00(2006.01)I;C23C4/10(2006.01)I;C23C4/12(2006.01)I | 主分类号 | C23C4/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理容器的再生方法，其特征在于：向用Y2O3的喷镀膜覆盖基材表面得到的等离子体处理容器的内部部件的、随着在等离子体中的使用而劣化的喷镀膜上，实施SiC喷射处理，然后再喷镀与所述喷镀膜属于相同材料的Y2O3。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||