| 发明名称 | 导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的p-掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲，提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂具有提高的导电性的碳纳米管的方法、利用该方法制备的被掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。 | ||
| 申请公布号 | CN101314470B | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN200810107802.7 | 申请日期 | 2008.05.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹善美;崔诚宰;申铉振;崔在荣;金晟镇;李永熙 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;罗延红 |
| 主权项 | 一种掺杂碳纳米管的方法，所述方法包括以下步骤：制备包含氧化剂和有机溶剂的氧化剂溶液；利用所述氧化剂溶液掺杂碳纳米管，其中，所述有机溶剂具有氧化性，其中，具有氧化性的有机溶剂从由硝基甲烷、二甲基亚砜、硝基苯、亚硝酸丁酯以及包含至少一种上述溶剂的组合组成的组中选择。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 | ||