发明名称 |
一种通孔关键尺寸检测版图的优化方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种通孔关键尺寸检测版图的优化方法。本发明公开了一种通孔关键尺寸检测版图的优化方法,通过对通孔关键尺寸检测图形所对应的底层金属版图的优化,及对此区域金属层版图填充冗余图形,从而改善底层金属层的平坦度问题,以增大通孔关键尺寸检测图形的光刻工艺窗口。 |
申请公布号 |
CN102437146B |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201110235260.3 |
申请日期 |
2011.08.17 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
魏芳;阚欢;张辰明;何伟明 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种通孔关键尺寸检测版图的优化方法,包括一设置有底层金属层的金属版图,其上设置有通孔层图形及通孔层次标记,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:将包含有通孔层图形的通孔关键尺寸检测图形向其外围的版图空旷区域进行单边扩大;步骤S2:去除空旷区域中通孔层次标记下的底层金属层,且保留扩大后的通孔关键尺寸检测图形中的底层金属层;步骤S3:在金属版图上的去除底层金属层的区域填充冗余图形;其中,通孔层图形包括密集通孔图形和稀疏通孔图形。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |