| 发明名称 | 用于提高闪存的耐久性的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种用于提高闪存耐久性的方法和装置。在本发明的一个实施例中，将高电场提供给闪存模块的控制栅极。施加到闪存模块的高电场去除了闪存模块的控制栅极和有源区之间的陷获电荷。在本发明的一个实施例中，在闪存模块的擦除操作之前将高电场施加至闪存模块的控制栅极。通过将高电场施加到闪存模块的控制栅极，本发明的实施例改进闪存模块的单级或多级单元的编程/擦除循环降级。 | ||
| 申请公布号 | CN103180908A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201180051326.1 | 申请日期 | 2011.11.15 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | H·曹;K·潘戈尔;K·K·帕拉特;N·R·米尔克;P·卡拉瓦德;I·赵 |
| 分类号 | G11C16/14(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张东梅 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||