发明名称 一种改良栅结构的晶体管
摘要 本发明公开了一种改良栅结构的晶体管,包括基底和处在基底上的介质层,所述介质层上设有一源区、一漏区以及连通在所述源区和漏区之间的沟道区,所述沟道区内设有第一顶栅作为晶体管的输出极,其输出的逻辑值在沟道区导通时为逻辑1,在沟道区截断时为逻辑0;所述晶体管还设有至少两个作为控制沟道区的输入极;其中至少有一个输入极为第二顶栅;还有至少有一个输入极为第三顶栅和/或底栅;所述第二顶栅和第三顶栅均位于所述介质层上,且处在所述沟道区的旁边。本发明晶体管,能够减少逻辑电路中晶体管的个数,使逻辑电路的制备方法简单,器件面积减少,从而提高逻辑电路的成品率,降低制作成本,并且可以方便改善调整逻辑电路器件的电学性能。
申请公布号 CN103178116A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201310085224.2 申请日期 2013.03.15
申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明人 戴明志
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 刘诚午
主权项 一种改良栅结构的晶体管,包括基底(1)和处在基底(1)上的介质层(3),所述介质层(3)上设有一源区(5)、一漏区(6)以及连通在所述源区(5)和漏区(6)之间的沟道区(7),其特征在于,所述沟道区(7)内设有第一顶栅(4a)作为晶体管的输出极,其输出的逻辑值在沟道区导通时为逻辑1,在沟道区截断时为逻辑0;所述晶体管还设有至少两个控制沟道区(7)的输入极;其中至少有一个输入极为第二顶栅(4b);还有至少有一个输入极为第三顶栅(4c)和/或底栅;所述第二顶栅和第三顶栅均位于所述介质层(3)上,且处在所述沟道区(7)的旁边。
地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号