| 发明名称 | TiO<sub>2</sub>通孔纳米管与CdS复合阵列膜及其制备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TiO2通孔纳米管与CdS复合阵列膜及其制备方法。该膜由独立的、阵列直径为50~110nm、高度为20~60μm的TiO2通孔纳米管，与TiO2纳米管之间及管壁内填充的CdS构成，厚度与TiO2纳米管的高度相当。其制备方法过程包括：将纯Ti片阳极氧化并在结束时增加电压获得与Ti片分离的TiO2通孔纳米管阵列模板；再使用离子交换化学沉积法在模板上沉积CdS；最后将沉积有CdS的模板经煅烧获得TiO2通孔纳米管与CdS复合阵列膜。本发明制备工艺简单，所得的膜不依赖于任何基底，CdS分散较好，能够拓宽TiO2的光谱响应范围，提高对太阳光的利用率，使用这种方法还能在管内沉积其它半导体，为制备多结结构提供了新的途径。 | ||
| 申请公布号 | CN103173764A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201310094148.1 | 申请日期 | 2013.03.22 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 赵乃勤;王佳薇;李家俊;李伟;初飞 |
| 分类号 | C23C28/04(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C28/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人 | 王小静 |
| 主权项 | 一种TiO2通孔纳米管与CdS复合阵列膜，其特征在于，该复合阵列膜由独立的、阵列直径为50~110nm、高度为20~60μm的TiO2通孔纳米管，与TiO2纳米管之间及管壁内填充的CdS构成，其的厚度与TiO2纳米管的高度相当。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||