发明名称 单晶硅制造装置炉室结构
摘要 本发明公开了一种单晶硅制造装置炉室结构,它包括副室外壳、主室外壳、石英坩埚、石墨坩埚、石墨加热器、石墨隔套;石墨隔套套装在主室外壳内壁;在副室外壳侧壁上设有氩气进口,在主室外壳下部设有氩气出口;本发明改进在于:在石墨坩埚、石墨加热器、石墨隔套上镀上一层SiC;石墨隔套由石墨绝缘材料制成,为上端带法兰边的套状构件,与主室外壳内壁、底壁形成夹腔;在石墨隔套法兰边上设有与夹腔相通的孔,形成轴向气流通道,在石墨隔套侧壁上设有与夹腔相通的孔,形成径向气流通道;氩气出口与夹腔相通。本发明能将从石英坩埚内熔体表面挥发的大部分SiO气体有效地被氩气带出炉室,有效减少CO气体的生成,从而显著降低生长的单晶硅碳污染程度。
申请公布号 CN103173849A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201110430405.5 申请日期 2011.12.21
申请人 卉欣光电科技(江苏)有限公司 发明人 袁文宝
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种单晶硅制造装置炉室结构,它包括副室外壳(1)、主室外壳(2)、石英坩埚(5)、石墨坩埚(7)、石墨加热器(6)、石墨隔套(8);所述石英坩埚(5)置于石墨坩埚(7)内,石墨加热器(6)设置在石墨坩埚(7)的周围;从石英坩埚(5)内的熔硅(4)中拉出柱状单晶硅(3);所述石墨隔套(8)套装在主室外壳(2)内壁,将石墨加热器(6)包围在其内侧空间;在副室外壳(1)侧壁上设有氩气进口(1.1),在主室外壳(2)下部设有氩气出口(2.1);其特征在于:在所述石墨坩埚(7)、石墨加热器(6)、石墨隔套(8)上镀上一层SiC;所述石墨隔套(8)由石墨绝缘材料制成,为上端带外翻法兰边的套状构件,其与主室外壳(2)内壁、底壁形成夹腔(8.2);在石墨隔套(8)的法兰边上设有与夹腔(8.2)相通的孔(8.1),形成轴向气流通道,在石墨隔套(8)的侧壁上设有与夹腔(8.2)相通的孔(8.3),形成径向气流通道;所述氩气出口(2.1)与夹腔(8.2)相通。
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