一种晶体硅太阳能电池刻蚀方法

摘要

本发明涉及太阳能利用技术领域，具体地说，本发明是一种应用于硅太阳电池刻蚀（背腐蚀）工段的方法。本发明是使用有机碱混合液代替氢氧化钾，又因为有机碱混合液只与硅反应，且能到到抛光效果，同时有机碱液与磷硅玻璃几乎不反应；生产中的硅片经过工艺槽后背面和侧面的磷硅玻璃已被去除，而扩散面磷硅玻璃完好，所以在扩散面不被破坏的情况下使得非扩散面抛光，从而使得非扩散面与背场银浆增加有效接触，以提高电池片短路电流、开路电压、并联电阻及转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池刻蚀方法，包括将硅片经过碱槽用药液以喷淋的方式对硅片进行冲洗的步骤，其特征在于：碱槽中的药液使用有机碱混合液代替氢氧化钾，药液配比为50g/L胆碱+250g/L的四甲基氢氧化铵（TMAH）+100g/L异丙醇的水溶液。