| 发明名称 | 半导体器件和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件和制造方法。在各个实施例中，一种半导体器件可以包括：载体；半导体芯片，设置在载体的第一侧上方；叠层，设置在载体与半导体芯片之间或者载体的与半导体芯片相对的第二侧上方或者二者，该叠层至少包括第一电绝缘层，该第一电绝缘层具有层压片，该层压片具有第一电绝缘基质材料以及嵌入到第一电绝缘基质材料中的第一机械稳定材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103178025A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210557719.6 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J.赫格劳尔;K.C.李;李德森;R.奥特伦巴;Y.C.傅;X.施勒格尔;J.施雷德尔;S.L.C.陈 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;朱海煜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：载体；半导体芯片，设置在载体的第一侧上方；叠层，设置在载体与半导体芯片之间或者在载体的与半导体芯片相对的第二侧上方或者二者，该叠层至少包括第一电绝缘层，该第一电绝缘层包括层压片，该层压片包括第一电绝缘基质材料以及嵌入到第一电绝缘基质材料中的第一机械稳定材料。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||