| 发明名称 | GaN基膜的制造方法及为此使用的复合衬底 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种GaN基膜的制造方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底(10)包含：在氢氟酸中可溶的支持衬底(11)以及布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，所述支持衬底(11)的主表面(11m)内的热膨胀系数大于GaN晶体的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍；在布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的所述单晶膜(13)的主表面(13m)上形成GaN基膜(20)；以及通过将支持衬底(11)溶解在氢氟酸中来除去所述支持衬底(11)。因此，本发明提供能够有效地获得主表面面积大、翘曲较小且结晶性良好的GaN基膜的GaN基膜的制造方法以及为此使用的复合衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN103180494A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201180028976.4 | 申请日期 | 2011.12.21 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 佐藤一成;关裕纪;上松康二;山本喜之;松原秀树;藤原伸介;吉村雅司 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种复合衬底，其包含：在氢氟酸中可溶的支持衬底(11)；以及布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，所述支持衬底(11)的主表面(11m)内的热膨胀系数大于GaN晶体的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||