| 发明名称 | 用于半导体器件的栅极结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体制造方法，该方法包括在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层。ILD层具有由该ILD层的侧壁限定的开口。在该ILD层的侧壁上形成间隔元件。在邻近该间隔元件的开口中形成栅极结构。在实施例中，该侧壁间隔件还用于减小在开口中形成的栅极结构的尺寸(例如，长度)。本发明提供了用于半导体器件的栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103177951A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210074982.X | 申请日期 | 2012.03.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 巫凯雄;简珮珊;李泳达;杨建勋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体制造方法，包括：在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层，其中，所述ILD层具有开口，所述开口由所述ILD层的第一侧壁限定；在所述ILD层的所述第一侧壁上形成间隔元件；以及之后，在邻近所述间隔元件的所述开口中形成栅极结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||