发明名称 一种多晶硅的制备方法
摘要 本发明涉及一种多晶硅的制备方法,该方法包括以下步骤:⑴制备锌蒸汽;⑵制备三氯氢硅/四氯化硅蒸汽;⑶锌蒸汽和三氯氢硅/四氯化硅蒸汽在硅芯棒表面发生化学沉积反应,生成固相硅并产生尾气A;⑷降温、分离尾气A,得到尾气B和液态氯化锌;⑸降温、分离尾气B,得到尾气C和液态三氯氢硅/四氯化硅;⑹尾气C与四氯化硅输入至HCL吸收塔内,通过喷淋四氯化硅吸收氯化氢,得到带有氯化氢的四氯化硅;⑺加热解析、分离带有氯化氢的四氯化硅,得到氯化氢和四氯化硅;⑻氯化氢与硅粉发生反应,得到提纯分离后的三氯氢硅/四氯化硅;⑼重复步骤⑵~⑻;⑽当硅芯棒直径达到120~180mm后,对硅芯棒进行降温,即得多晶硅。本发明工艺路线简洁、可实现连续反应。
申请公布号 CN103172070A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201310131297.0 申请日期 2013.04.16
申请人 中国科学院青海盐湖研究所 发明人 王舒娅;王树轩;邹兴武;祁米香;杨占寿
分类号 C01B33/035(2006.01)I 主分类号 C01B33/035(2006.01)I
代理机构 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人 李艳华
主权项 一种多晶硅的制备方法,包括以下步骤:⑴将固体锌输入到锌汽化器(2)内,在910~950℃温度下进行电加热,汽化得到纯度为99.9999~99.9999999%的锌蒸汽,然后通过设在所述锌汽化器(2)一侧的氩气输入口通入氩气,在氩气的作用下通过设在所述锌汽化器(2)另一侧的管线A将锌蒸汽送至气相沉积炉(1)内;⑵将由三氯氢硅/四氯化硅制备装置(13)制备的三氯氢硅/四氯化硅输入至储罐(4),并通过进料泵Ⅰ(5)将所述三氯氢硅/四氯化硅送至三氯氢硅/四氯化硅蒸发器(3)内,然后向所述三氯氢硅/四氯化硅蒸发器(3)内通入水蒸汽进行加热,汽化得到三氯氢硅/四氯化硅蒸汽;该三氯氢硅/四氯化硅蒸汽通过设在所述三氯氢硅/四氯化硅蒸发器(3)一侧的管线B将所述三氯氢硅/四氯化硅蒸汽送至气相沉积炉(1)内;⑶所述锌蒸汽和所述三氯氢硅/四氯化硅蒸汽在所述气相沉积炉(1)内温度为910~1200℃的硅芯棒表面发生化学沉积反应,同时控制所述气相沉积炉(1)内温度不低于910℃;反应生成的固相硅不断沉积在硅芯棒表面,使得硅芯棒长粗,并产生含有氩气、氯化氢、氯化锌和少量的三氯氢硅/四氯化硅的尾气A;⑷所述尾气A由所述气相沉积炉(1)尾气排气口排至第一尾气换热器(6),使所述尾气A温度降至720~740℃,所述尾气A中的氯化锌变为液体,分离所述尾气A,得到尾气B和液态氯化锌;将所述液态氯化锌收集送至电解槽(7),按常规工艺电解生成锌和氯气,锌送至所述锌汽化器(2);⑸所述尾气B经过第二尾气换热器(8),使所述尾气B温度降至30~35℃,所述尾气B中的气态的三氯氢硅/四氯化硅冷凝为液态,分离所述尾气B,得到尾气C和液态三氯氢硅/四氯化硅;将所述液态三氯氢硅/四氯化硅送至所述储罐(4);⑹所述尾气C输入至HCL吸收塔(9)内,同时将四氯化硅储罐(11)内的四氯化硅通过进料泵Ⅱ(10)输入至所述HCL吸收塔(9),通过喷淋四氯化硅吸收氯化氢,分别得到带有氯化氢的四氯化硅和不凝气体氩气;该不凝气体氩气排空;所述喷淋的四氯化硅与所述HCL吸收塔(9)内的氯化氢的摩尔比为25~30:1;⑺所述带有氯化氢的四氯化硅输入至解析塔(12)内,在80~90℃温度下进行加热解析、分离,得到氯化氢和四氯化硅,所得的四氯化硅送至所述四氯化硅储罐(11)内循环利用;⑻将所述步骤⑺所得的氯化氢输入至所述三氯氢硅/四氯化硅制备装置(13)中的反应装置,使其与硅粉发生反应,生成的三氯氢硅/四氯化硅由所述三氯氢硅/四氯化硅制备装置(13)中的精馏装置进行提纯分离,得到纯度为99.9999~99.9999999%的三氯氢硅/四氯化硅;所述氯化氢与所述硅粉的摩尔比为4.5~6:1;⑼所述纯的三氯氢硅/四氯化硅输送至所述储罐(4),然后重复步骤⑵~⑻;⑽当硅芯棒直径达到120~180mm后,停止锌蒸汽、三氯氢硅/四氯化硅蒸汽的通入,逐渐通过降低硅芯棒电流来降低芯棒的温度,直至硅芯棒表面温度降低至450~550℃时,停止硅芯棒加热电流,通入氮气进行置换、冷却;待温度冷却至25~35℃后,打开所述气相沉积炉(1)钟罩取出多晶硅棒,即得纯度为99.9999~99.9999999%的多晶硅。
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