| 发明名称 | 用于提高BJT电流增益的低温注入 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成包括双极结晶体管（BJT）（1002）和金属氧化物半导体（MOS）（1004）晶体管的集成电路的工艺，其通过冷却集成电路衬底至5℃或更低温度，并且同时根据核素种类以指定的最小剂量将掺杂剂注入到BJT的发射极区域和MOS晶体管的源极和漏极中来实现。 | ||
| 申请公布号 | CN103180934A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201180051279.0 | 申请日期 | 2011.10.25 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | M-Y·状 |
| 分类号 | H01L21/328(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/328(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种形成包括npn双极结晶体管BJT和n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管的集成电路的工艺，其包括：在所述npn BJT的发射极区域和所述NMOS晶体管的源极和漏极区域之上，在所述集成电路的衬底的硅顶部区域的顶表面上方形成注入屏蔽介电层；在所述注入屏蔽介电层上方形成注入掩模，使得暴露出所述发射极区域和所述源极和漏极区域；使所述集成电路的所述衬底与衬底卡盘接触；冷却所述衬底卡盘，使得所述集成电路的所述衬底被冷却至5℃的温度或更低温度；以及当所述衬底被冷却至5℃或更低温度时，同时将n型掺杂剂离子注入到所述发射极区域和所述源极和漏极区域中，其中所述n型掺杂剂和所述n型掺杂剂的剂量选自由以下各项组成的群组：剂量至少为8×1014个原子/cm2的磷，剂量至少为6×1013个原子/cm2的砷，剂量至少为6×1013个原子/cm2的锑，以及其任意组合。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||