发明名称 |
半导体器件及其形成方法 |
摘要 |
一种半导体器件的形成方法,包括:提供基底,所述基底表面依次形成有第一层间介质层、第二层间介质层,以及贯穿上述层间介质层厚度的沟槽;对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行处理,分别形成第一牺牲层和第二牺牲层,第一牺牲层的宽度大于第二牺牲层宽度;形成第一牺牲层和第二牺牲层后,填充满所述沟槽形成金属线层;形成金属线层后,去除第一牺牲层和第二牺牲层形成开口,所述开口包括底部的第一子开口和顶部的第二子开口,所述第一子开口的口径大于第二子开口的口径;形成覆盖所述第二层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。相应的,还提供了一种采用上述方法形成的半导体器件,RC效应低,半导体集成电路的性能好。 |
申请公布号 |
CN103178000A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201110431447.0 |
申请日期 |
2011.12.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
洪中山 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底表面形成有第一层间介质层,所述第一层间介质层表面形成有第二层间介质层,以及贯穿所述第一层间介质层和第二层间介质层厚度的沟槽;对沟槽侧壁的部分所述第一层间介质层和第二层间介质层进行处理,分别形成第一牺牲层和第二牺牲层,所述第一牺牲层的宽度大于所述第二牺牲层宽度;形成第一牺牲层和第二牺牲层后,填充满所述沟槽形成金属线层;形成金属线层后,去除所述第一牺牲层和第二牺牲层形成开口,所述开口包括底部的第一子开口和顶部的第二子开口,所述第一子开口的口径大于第二子开口的口径;形成覆盖所述第二层间介质层、且横跨所述开口的绝缘层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |