发明名称 发光二极管元件以及覆晶式发光二极管封装元件
摘要 本发明的发光二极管元件,其中,一第一型掺杂层、一发光层与一第二型掺杂层依序设于一元件基板上;复数第一沟部贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层表面,该等第一沟部至少一者一端贯通并延伸至该第二型掺杂层与该发光层边缘;一绝缘层设于部分该第二型掺杂层上并延伸至该第一沟部侧壁;一第一接点配置于该等第一沟部内并电性连接该第一型掺杂层,一第二接点设于该第二型掺杂层上且电性连接该第二型掺杂层。通过该等第一沟部供第一接点穿过该第二型掺杂层与发光层而电性连接第一型掺杂层,以增加电流分散性。本发明还提供一种覆晶式发光二极管封装元件。
申请公布号 CN103178182A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201110443390.6 申请日期 2011.12.20
申请人 新世纪光电股份有限公司 发明人 黄逸儒;吴志凌;罗玉云;苏柏仁
分类号 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种发光二极管元件,其特征在于,是包含:一元件基板;一第一型掺杂层,配置于该元件基板上;一发光层,配置于该第一型掺杂层上;一第二型掺杂层,配置于该发光层上;复数个第一沟部,其贯通该第二型掺杂层与该发光层并外露部分该第一型掺杂层表面;一绝缘层,配置于部分该第二型掺杂层上并延伸至该等第一沟部侧壁;一第一接点,配置于该等第一沟部内并与该第一型掺杂层电性连接;及一第二接点,配置于该第二型掺杂层上且与该第二型掺杂层电性连接;其中,该等第一沟部至少一者的一端延伸并贯通至该第二型掺杂层与该发光层边缘。
地址 中国台湾台南市台南科学园区大利三路5号