| 发明名称 | 含二苯并噻吩砜有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明属于有机半导体材料，其公开了一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件，该含二苯并噻吩砜有机半导体材料具有如下化学结构通式：<img file="DDA0000123857630000011.GIF" wi="1112" he="334" />式中，A-为-F、-CN或者-NO<sub>2</sub>。本发明提供的含二苯并噻吩砜有机半导体材料，通过差热分析扫描对该含二苯并噻吩砜有机半导体材料的性能进行表征，结果表明该材料具有优异的热稳定性；同时，该类材料具有良好的溶解性和成膜性，并且通过光谱测试，发现这种材料的最大发光波长在蓝光范围，具有较宽的能隙；另外，这种发光材料由于结构中二苯并噻吩砜及四芳基硅基团的存在，使材料具有较好的电子传输性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103172651A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201110435826.7 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 | 发明人 | 周明杰;王平;梁禄生;张振华 |
| 分类号 | C07F7/08(2006.01)I;C07F7/10(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 1.一种含二苯并噻吩砜有机半导体材料，其特征在于，具有如下化学结构通式：<img file="FDA0000123857600000011.GIF" wi="1090" he="319" />式中，A-为-F、-CN或者-NO<sub>2</sub>。 | ||
| 地址 | 518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||