发明名称 双重图型(Double Pattern)之形成方法
摘要 本发明之双重图型之形成方法系包含于被加工基板上涂布化学增幅正型光阻组成物形成光阻膜的步骤,于该膜得到第1正型图型的步骤,进一步,对该正型图型赋予反转膜形成用组成物所使用之有机溶剂之耐性的步骤,以第2化学增幅正型光阻材料形成反转膜并于该膜获得第2正型图型的步骤,进一步,于得到第2正型光阻图型之硷显影液步骤中,包含上述反转为可溶于硷性显影液的第1正型图型在获得第2图型之步骤中溶解除去、反转转印的步骤。;根据本发明,即使使用含有羟基之溶剂或高极性溶剂使反转用膜的第2光阻膜成膜,亦不对第1正型光阻图型造成伤害,可于间隙埋入第2光阻材料,使第1正型图型可以显影液进行溶于硷除去,可以简易步骤进行高精度的正负反转(positive-negative reverse)。
申请公布号 TWI399791 申请公布日期 2013.06.21
申请号 TW098104713 申请日期 2009.02.13
申请人 信越化学工业股份有限公司 日本 发明人 竹村胜也;畠山润;西恒宽;片山和弘;石原俊信
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本