堆叠晶粒的形成方法

摘要

一种在积体电路晶粒或晶圆上形成穿矽介层窗(through-silicon vias；TSVs)，其中穿矽介层窗形成在金属化制程前的整合制程中。可制造具有增加之高宽比的穿矽介层窗，而更深入地延伸在晶圆基板中。此方法大致上可降低在晶圆背面研磨制程中过度薄化晶圆基板的风险，其中此晶圆背面研磨制程一般是用来露出及产生穿矽介层窗的电性连接。藉由提供更深的穿矽介层窗与接合垫，个别晶圆与晶粒可直接结合在穿矽介层窗与另一个晶圆上的接合垫之间。