制造半导体晶圆之方法

摘要

本发明系关于一种制造半导体晶圆之方法，包含于一上抛光盘及一下抛光盘之间抛光该半导体晶圆，其中系在供给一抛光剂的情况下双面抛光该位于一载具之一镂空部分(cutout)中的半导体晶圆，直到该半导体晶圆在该半导体晶圆中心之厚度与该载具之厚度的差为负数且材料移除的总量达到10微米至30微米，其中该抛光剂包含0.1至0.4重量%的二氧化矽及0.1至0.9重量%的硷性成分。