发明名称 晶圆级晶片尺寸封装及制造方法
摘要 本发明揭露一种功率半导体之晶圆级晶片尺寸封装(wafer level chip scale package;CSP)及制造方法,晶圆级晶片尺寸封装包含源极、闸极与汲极,且所有的源极、闸极与汲极皆位于装置的一侧,藉以便于利用锡膏来安装至印刷电路板(PCB)上。
申请公布号 TWI399836 申请公布日期 2013.06.21
申请号 TW097150806 申请日期 2008.12.26
申请人 万国半导体股份有限公司 百慕达 发明人 冯涛;法兰克斯 赫伯特;孙明;何约瑟
分类号 H01L23/28;H05K3/30 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项
地址 百慕达