半导体矽晶圆及其制造方法

摘要

本发明系提供一种高品质矽晶圆及其制造方法，该矽晶圆之滑移差排及翘曲均系压制得极小且适于直径增大。;获得一种矽晶圆，其中于与该矽晶圆表面之距离等于或大于20微米(μm)之深度空间位置存在一尺寸为20奈米(nm)至40奈米(nm)尺寸之块体微缺陷(BMD)的密度，该密度范围为5×1011/立方公分至5×1013/立方公分，且尺寸为300奈米或更大尺寸之BMD的密度为等于或小于1×107/立方公分。