发明名称 发光二极体
摘要 本发明揭露一种发光二极体,于一实施例中,其包含基板、主要的堆叠结构、复数个次要的柱状结构、透明绝缘材料、透明导电层、第一电极以及第二电极。柱状结构形成于基板上并围绕堆叠结构。堆叠结构和每一个柱状结构皆具有依序形成于基板上之第一传导型态半导体层、发光层与第二传导型态半导体层。透明绝缘材料则填充于柱状结构之间的间隙,以大致上同高于复数个柱状结构。透明导电层披覆于堆叠结构、复数个柱状结构及透明绝缘材料上。第一电极形成于透明导电层上,而第二电极形成于第一传导型态半导体层上。
申请公布号 TWI399869 申请公布日期 2013.06.21
申请号 TW098103746 申请日期 2009.02.05
申请人 广镓光电股份有限公司 台中市西屯区工业区三十四路40号 发明人 高琳洁;杨淑莹
分类号 H01L33/20;H01L33/44 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人 郭晓文 台北市文山区罗斯福路6段407号4楼
主权项
地址 台中市西屯区工业区三十四路40号