| 摘要 |
一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压井(pre-high-voltage well,pre-HVW)区于该半导体基底中，其中该前高压井区为与该第一导电形式相反之一第二导电形式；一高压井(high-voltage well,HVW)区于该前高压井区上，其中该高压井区为该第二导电形式；一场环(field ring)，其为该第一导电形式，占据该高压井区的一顶部，其中至少该前高压井区、该高压井区与该场环之一包括至少两个通道；一绝缘区于该场环与该高压井区之一部分上；一汲极区于该高压井区中且邻接该绝缘区；一闸极电极于该绝缘区之一部分上；以及一源极区相对于该汲极区在该闸极之一相对侧上。 |
