发明名称 Método y reactor de crisol para producir silicio o un metal reactivo
摘要 Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende: introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta; generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido; generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y establecer una temperatura de la pared de la superficie interior dentro de un intervalo de temperaturas que estápor debajo de la temperatura del punto de fusión del silicio o el metal reactivo controlando la primera fuente deenergía térmica y la segunda fuente de energía térmica.
申请公布号 ES2408630(T3) 申请公布日期 2013.06.21
申请号 ES20090751499T 申请日期 2009.05.20
申请人 REC SILICON INC. 发明人 HUGO, FRANZ
分类号 C30B28/14;B01J19/08;C01B33/027;C30B11/04;C30B15/02;C30B25/10;C30B28/06;C30B28/10;C30B29/02;C30B29/06;H05H1/50 主分类号 C30B28/14
代理机构 代理人
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