Ätzzusammensetzung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung, in welcher die Ätzzusammensetzung eingesetzt wird

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt eine Ätzzusammensetzung, die eine Silylphosphatverbindung, Phosphorsäure und entionisiertes Wasser enthält, sowie ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiters, welches einen Ätzprozess umfasst, bei dem die Ätzzusammensetzung verwendet wird, bereit. Die Ätzzusammensetzung der Erfindung zeigt eine–gegenüber einem Oxidfilm–hohe Ätzselektivität für einen Nitridfilm. Wenn die Ätzzusammensetzung der vorliegenden Erfindung zum Entfernen eines Nitridfilms verwendet wird, kann daher die effektive Feldhöhe (EFH) des Oxids leicht gesteuert werden, indem die Ätzrate des Oxidfilms gesteuert wird. Daneben kann eine Abnahme der elektrischen Eigenschaften, die durch eine Beschädigung eines Oxidfilms oder durch Ätzen des Oxidfilms verursacht wird, verhindert werden und es kann die Erzeugung von Teilchen verhindert werden, wodurch die Stabilität und die Zuverlässigkeit des Ätzprozesses gewährleistet werden können.